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BCX56-10-QF

BCX56-10-QF Nexperia

BCX56-Q_SER.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
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Technische Details BCX56-10-QF Nexperia

Description: NEXPERIA - BCX56-10-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.35W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.35W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX56-10-QF BCX56-10-QF Hersteller : NEXPERIA BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Description: NEXPERIA - BCX56-10-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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BCX56-10-QF BCX56-10-QF Hersteller : NEXPERIA BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Description: NEXPERIA - BCX56-10-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
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DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.35W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCX56-10-QF BCX56-10-QF Hersteller : Nexperia bcx56-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101
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BCX56-10-QF Hersteller : NEXPERIA bcx56-q_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
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BCX56-10-QF BCX56-10-QF Hersteller : Nexperia USA Inc. BCX56-Q_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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