BCX5610
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Technische Details BCX5610
Description: IC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote BCX5610
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BCX56-10 Produktcode: 119639 |
 Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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| BCX56-10 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
BJT, SOT-89, 80V, 1000mA, NPN, 0.5W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCX56-10 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Pulsed collector current: 1.5A Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BCX56-10 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
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BCX56-10 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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| BCX56-10 | Hersteller : Nexperia |
Central Semiconductor |
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| BCX5610 | Hersteller : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
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BCX56-10 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Pulsed collector current: 1.5A Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
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