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BCX56-16,115

BCX56-16,115 Nexperia

bcx56_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BCX56-16,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BCX56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCX56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : Nexperia bcx56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED4A2D17780D30755EA&compId=BCX56-16.115.pdf?ci_sign=69cd16a9da9803a748d6a9a814723afe7a42767c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA bcx56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002912338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCX56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002912338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCX56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14678 Stücke:
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA bcx56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX56-16,115 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BCX56_SER.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 180; hFE = 100 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-89-3
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA bcx56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCX56-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : Nexperia bcx56_ser.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCX56_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BCX56_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BCX56-16,115 BCX56-16,115 Hersteller : Nexperia BCX56_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A NPN MED PWR
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