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BCX56-16TA

BCX56-16TA Diodes Zetex

bcx54_55_56.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BCX56-16TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BCX5616TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX56-16TA BCX56-16TA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX56-16TA BCX56-16TA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : Diodes Incorporated BCX54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
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Mindestbestellmenge: 1000
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EF4D805F39535EA&compId=BCX5616TA.pdf?ci_sign=ca19989bc150f134e02cb1304d951c7cacd146dc Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 1000pcs.
Case: SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
334+0.21 EUR
485+0.15 EUR
574+0.12 EUR
777+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49EF4D805F39535EA&compId=BCX5616TA.pdf?ci_sign=ca19989bc150f134e02cb1304d951c7cacd146dc Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 1000pcs.
Case: SOT89
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574+0.12 EUR
777+0.09 EUR
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : Diodes Incorporated BCX54_55_56-3194693.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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10+0.35 EUR
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : Diodes Incorporated BCX54_55_56.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1771 Stücke:
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31+0.58 EUR
50+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 31
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013600389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX5616TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2488 Stücke:
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013600389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCX5616TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BCX56-16TA BCX56-16TA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
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BCX56-16TA BCX56-16TA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
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BCX5616TA BCX5616TA Hersteller : Diodes Inc bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX5616TA Hersteller : DIODES/ZETEX BCX54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX5616TA TBCX5616TA Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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