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BCX5610H6327XTSA1

BCX5610H6327XTSA1 Infineon Technologies

bcx54_bcx55_bcx56.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BCX5610H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89, Grade: Automotive, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.

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BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx54_bcx55_bcx56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1795 Stücke:
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Anzahl Preis
220+0.33 EUR
250+0.29 EUR
325+0.22 EUR
345+0.21 EUR
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BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
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BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx54_bcx55_bcx56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bcx54_bcx55_bcx56.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589d20fda0368 Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
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BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BCX54_BCX55_BCX56_DS_v01_01_en-1226083.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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