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BCX56-16

BCX56-16 JGSEMI

TBCX5616_JGS_JGSEMI_0001.pdf
Hersteller: JGSEMI
Transistor NPN; 250; 1,3W, 80V; 1A; 130MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCX56-16,115; BCX56-16,135; BCX56-16,147, BCX5616E6327HTSA1; BCX5616E6433HTMA1; BCX5616H6327XTSA1; BCX5616H6433XTMA1; BCX5616TA; BCX56-16-TP; BCX56-16 JGSEMI TBCX5616 JGS
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Technische Details BCX56-16 JGSEMI

Description: MULTICOMP PRO - BCX56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : SHIKUES TBCX5616_SHK_0001.pdf Transistor NPN; 250; 1.3W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCX56-16,115; BCX56-16,135; BCX56-16,147, BCX5616E6327HTSA1; BCX5616E6433HTMA1; BCX5616H6327XTSA1; BCX5616H6433XTMA1; BCX5616TA; BCX56-16-TP; BCX56-16 SHIKUES TBCX5616 SHK
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : DIOTEC info-tbcx5610.pdf Transistor NPN; 250; 1W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCX56-16-DIO; BCX56-16,115; BCX56-16,135; BCX5616E6327; BCX5616E6433; BCX5616QTA; BCX5616TA; BCX56-16 BL HD; BCX56-16.115; BCX56-16 TBCX5616
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : DIOTEC info-tbcx5610.pdf Transistor NPN; 250; 1W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BCX56-16-DIO; BCX56-16,115; BCX56-16,135; BCX5616E6327; BCX5616E6433; BCX5616QTA; BCX5616TA; BCX56-16 BL HD; BCX56-16.115; BCX56-16 TBCX5616
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : LGE TBCX5616_LGE_LGE_0001.pdf NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89 BCX56-16-LGE; BCX56-16 SOT89 LGE TBCX5616 LGE
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : FUXINSEMI TBCX5616_FUX_FUXINSEMI.pdf Transistor NPN; 250; 500mW, 80V; 1A; 130MHz, -55°C ~ 150°C; BCX56-16 SOT89 FUXIN TBCX5616 FUX
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : LGE TBCX5616_LGE_LGE_0001.pdf NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89 BCX56-16-LGE; BCX56-16 SOT89 LGE TBCX5616 LGE
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BCX56-16 BCX56-16 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861630.pdf Description: MULTICOMP PRO - BCX56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 55 Stücke:
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BCX56-16 Hersteller : GOODWORK bcx56.pdf BCX56-16%20SOT-89.pdf TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Транзистори
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BCX56-16 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC639_BCP56_BCX56_Philips.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, ft, МГц = 180, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
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BCX5616 Hersteller : ZETEX 06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
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