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BCX5616QTA

BCX5616QTA Diodes Zetex

bcx54_55_56.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BCX5616QTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BCX5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCX56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : Diodes Incorporated BCX5616Q.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCX5616Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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185+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 148
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : DIODES INCORPORATED BCX5616Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
Application: automotive industry
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : Diodes Incorporated BCX5616Q.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : Diodes Incorporated BCX5616Q-1532156.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001754846-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - BCX5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCX56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1095 Stücke:
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001754846-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - BCX5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCX56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BCX5616QTA BCX5616QTA Hersteller : Diodes Zetex bcx54_55_56.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
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BCX5616QTA
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