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BCX70KE6327HTSA1

BCX70KE6327HTSA1 Infineon Technologies

BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details BCX70KE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCX70KE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCX70KE6327HTSA1 BCX70KE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
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BCX70KE6327HTSA1 BCX70KE6327HTSA1 INFINEON INFNS11039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCX70KE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BCX70KE6327HTSA1 BCX70KE6327HTSA1 INFINEON INFNS11039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCX70KE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: INFINEON - BCX70KE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Description: INFINEON - BCX70KE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
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