BCX71HE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7143+ | 0.077 EUR |
| 10000+ | 0.067 EUR |
| 100000+ | 0.055 EUR |
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Technische Details BCX71HE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BCX71HE6327HTSA1 nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BCX71HE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BCX71HE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
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BCX71HE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
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BCX71HE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
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