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BD13516S

BD13516S ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
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Technische Details BD13516S ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.

Weitere Produktangebote BD13516S nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BD13516S BD13516S onsemi BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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BD13516S BD13516S onsemi BD139-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
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Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
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