BD13516S ON Semiconductor
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Technische Details BD13516S ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.
Weitere Produktangebote BD13516S nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BD13516S | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
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BD13516S | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD13516S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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