BD135TG ON Semiconductor
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Technische Details BD135TG ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.
Weitere Produktangebote BD135TG nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BD135TG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube |
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BD135TG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube |
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BD135TG | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
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BD135TG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
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| BD135TG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD135TG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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BD135TG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube |
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