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BD135TG

BD135TG ON Semiconductor

bd135-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
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Technische Details BD135TG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD135TG BD135TG Hersteller : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
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BD135TG BD135TG Hersteller : onsemi BD135_D-1802410.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor
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BD135TG BD135TG Hersteller : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
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BD135TG Hersteller : ONSEMI ONSMS37603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD135TG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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BD135TG BD135TG Hersteller : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
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