BD137 (Bipolartransistor NPN) (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD137 (Bipolartransistor NPN)

BD137 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 19308
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 1,5
h21: 250

BD135,137,139.pdf
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Technische Details BD137 (Bipolartransistor NPN)

Preis BD137 (Bipolartransistor NPN) ab 0.076 EUR bis 0.28 EUR

BD137
Hersteller: CDIL
Material: BD137-CDI NPN THT transistors
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BD137
Hersteller: NXP
NPN 1A 60V 6,5W 50MHz Trans. BD137 TO126 TBD137
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BD137
Hersteller: LGE
NPN 1A 60V 6,5W 50MHz Trans. BD137 TO126 TBD137
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BD137
BD137
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD137
BD137
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
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BD137
BD137
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
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BD137
BD137
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-252AA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: onsemi
Base Part Number: BD137
Supplier Device Package: TO-126
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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