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BD137G NPN-Bipolartransistor ON

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Produktcode: 148260
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1268 Stücke:
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307+0.56 EUR
340+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
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BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BD137G BD137G onsemi BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
auf Bestellung 13497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.94 EUR
100+0.7 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BD137G BD137G ONSEMI BD137.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+1.38 EUR
125+0.68 EUR
171+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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BD137G BD137G onsemi BD135-D.PDF Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BD137G BD137G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 2 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BD137G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD137G
Hersteller: ON Semiconductor
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AnzahlPrivatkunde
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307+0.56 EUR
340+0.48 EUR
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BD137G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD137G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
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BD137G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
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BD137G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
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BD137G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD137G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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