BD13716S ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 242+ | 0.73 EUR |
| 286+ | 0.6 EUR |
| 387+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details BD13716S ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Weitere Produktangebote BD13716S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BD13716S | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BD13716S |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)


