BD13716S ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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Technische Details BD13716S ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.

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BD13716S BD13716S onsemi / Fairchild BD139_D-2310463.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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