BD138G ON Semiconductor
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Technische Details BD138G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BD138G nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.13 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BD138G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD138G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD138G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
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BD138G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP |
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BD138G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD138G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD138G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BD138G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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