BD13910STU ON Semiconductor
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Technische Details BD13910STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BD13910STU nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BD13910STU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
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BD13910STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
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BD13910STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
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BD13910STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BD13910STU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 1060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139-10STU | Hersteller : STMicroelectronics | Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO |
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BD13910STU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
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