Technische Details BD13910STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BD13910STU nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BD13910STU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 1619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD13910STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD13910STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BD13910STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 29 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| BD139-10STU | STMicroelectronics |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 300 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BD13910STU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 1.48 EUR |
| 220+ | 0.77 EUR |
| BD13910STU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 1.48 EUR |
| 220+ | 0.76 EUR |
| BD13910STU |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.92 EUR |
| 10+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| BD13910STU |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.48 EUR |
| 141+ | 1.65 EUR |
| 190+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| BD13910STU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BD13910STU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BD139-10STU |
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Hersteller: STMicroelectronics
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 300 Stücke: