BD139-16STU (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD139-16STU (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 27206
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BD139-16STU (Bipolartransistor NPN)

Preis BD139-16STU (Bipolartransistor NPN) ab 0.28 EUR bis 1.35 EUR

BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
BD135,137,139.pdf FAIRS45235-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BD13916STU
BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
BD139_D-2310463.pdf
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BD13916STU
BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 1.25
DC Current Gain hFE: 100
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 1.5
Transistor Case Style: TO-126
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
2299531.pdf
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BD13916STU
BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
bd139-d.pdf
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BD13916STU
Hersteller:
BD13916STU
BD135,137,139.pdf FAIRS45235-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BD13916STU
Hersteller: ONSEMI
Material: BD13916STU NPN THT transistors
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BD139-16STU
Hersteller: On Semiconductor/Fairchild
TO-126ISO
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BD13916STU
BD13916STU
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
BD139_D-2310463.pdf
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BD13916STU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
BD135,137,139.pdf FAIRS45235-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BD13916STU
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Transistor Type: NPN
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 1.25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Supplier Device Package: TO-126-3
FAIRS45235-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
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BD13916STU
BD13916STU
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FAIRS45235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BD13916STU
BD13916STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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