Produkte > ON SEMICONDUCTOR > BD13916STU
BD13916STU

BD13916STU ON Semiconductor

bd139-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1239+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BD13916STU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BD13916STU nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 81875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1215+0.44 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
254+0.56 EUR
295+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
1920+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
142+0.51 EUR
170+0.42 EUR
199+0.36 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
142+0.51 EUR
170+0.42 EUR
199+0.36 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 4808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.58 EUR
60+0.71 EUR
120+0.63 EUR
540+0.49 EUR
1020+0.45 EUR
2040+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 4530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.58 EUR
179+0.77 EUR
222+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
1920+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 4771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.62 EUR
10+0.72 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
1920+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
auf Bestellung 11945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD13916STU BD13916STU Hersteller : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139-16STU Hersteller : On Semiconductor/Fairchild TO-126ISO
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH