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BD159STU

BD159STU ON Semiconductor / Fairchild

BD159-1305142.pdf
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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Technische Details BD159STU ON Semiconductor / Fairchild

Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 20 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD159STU ONS/FAI BD159.pdf NPN Транзистори
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BD159STU BD159STU onsemi BD157%2C158%2C159.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 20 W
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BD159STU BD157%2C158%2C159.pdf
BD159STU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 20 W
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