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BD179G

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Produktcode: 82107
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD179G BD179G On Semiconductor BD179-D.pdf NPN, Uce=80V, Ic=3.0A, hFE=63...160, -65...+150, TO-126 PBF Транзистори
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BD179G BD179G ON Semiconductor 2887bd179-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD179G ONSEMI ONSM-S-A0011397255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2173 Stücke:
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BD179G
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uce=80V, Ic=3.0A, hFE=63...160, -65...+150, TO-126 PBF Транзистори
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BD179G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD179G ONSM-S-A0011397255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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