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BD237 (LGE)

BD237 (LGE)

bd237-datasheet.pdf
Produktcode: 126623
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO-225
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
ZCODE: THT
auf Bestellung 415 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD237 (Bipolartransistor NPN) BD237 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28046
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Hersteller : ON Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 2
ZCODE: 8541290090
verfügbar: 15 Stück
Anzahl Preis
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.17 EUR
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BD237 (SOT-32, ST) BD237 (SOT-32, ST)
Produktcode: 155417
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bd237-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.31 EUR
4000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.31 EUR
4000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 155100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.59 EUR
286+0.50 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.28 EUR
2500+0.25 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics BD237-ST.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Case: SOT32
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
171+0.42 EUR
204+0.35 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 155140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+1.32 EUR
241+0.59 EUR
276+0.50 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.28 EUR
2500+0.25 EUR
10000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics BD235%2C7.pdf Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 4358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.46 EUR
50+0.67 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics 4189.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 70284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD237 BD237 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861463.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD237 BD237 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2309917.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD237 Hersteller : HT SEMI BD235%2C7.pdf BD237-D.PDF NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BD237 Hersteller : ST BD235%2C7.pdf BD237-D.PDF NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BD237 Hersteller : STMicroelectronics NV BD235%2C7.pdf BD237-D.PDF NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD237 BD237
Produktcode: 174215
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Hersteller : ON bd237-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 A
ZCODE: THT
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics BD237-ST.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Case: SOT32
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
171+0.42 EUR
204+0.35 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics bd237-1849105.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.50 EUR
10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.34 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BD237 Hersteller : ST BD235%2C7.pdf BD237-D.PDF NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237 BD237 Hersteller : onsemi BD237_D-1802412.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237 Hersteller : onsemi BD237-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD237 BD237 Hersteller : STMicroelectronics cd0000093.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD238
Produktcode: 174169
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datasheet_bd238.pdf
BD238
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
I, А: 2 А
auf Bestellung 831 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 1160 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1404 Stück
104 Stück - stock Köln
1300 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 61847 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LED 3mm rot 660nm, 60° (GNL-3014SRD G-Nor)
Produktcode: 17419
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3014_ultra.pdf
LED 3mm rot 660nm, 60° (GNL-3014SRD G-Nor)
Hersteller: G-Nor
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum Ausführungs-
Farbe (Wellenlänge): rot (660nm)
Gehäuse: 3mm
Linse, Typ: matt rot
Spannungsfall, V: 1,8
Lichtstärke / Lichtstrom: 50...100 mcd
Lichtwinkel: 60°
Analogon: Кругла
ZCODE: 8541401000
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30000 Stück
10000 Stück - erwartet 20.04.2025
10000 Stück - erwartet 11.07.2025
10000 Stück - erwartet 20.04.2025
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH