BD237 (LGE)
Produktcode: 126623
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Lieblingsprodukt
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Montage: THT
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Möglichen Substitutionen BD237 (LGE) LGE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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BD237 Produktcode: 214270
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Lieblingsprodukt
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HT SEMI |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-126 fT: 3 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 2 А Montage: THT |
auf Bestellung 589 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BD237 Produktcode: 214270
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: HT SEMI
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Montage: THT
auf Bestellung 589 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Weitere Produktangebote BD237 (LGE) nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BD237 (КТ817Г) Produktcode: 28046
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Lieblingsprodukt
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ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: TO-225 Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 2 А Montage: THT |
verfügbar: 15 St.
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BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237 | HT SEMI |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 165580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD237 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
auf Bestellung 165580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
auf Bestellung 4315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD237 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BD237 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BD237 | STM |
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD237 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BD237 (КТ817Г) Produktcode: 28046
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-225
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Montage: THT
verfügbar: 15 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.23 EUR |
| 10+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.27 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.29 EUR |
| 4000+ | 0.26 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: HT SEMI
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.32 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.32 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 165580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 344+ | 0.51 EUR |
| 397+ | 0.43 EUR |
| 524+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 4000+ | 0.24 EUR |
| BD237 |
![]() |
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.79 EUR |
| BD237 |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.79 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 0.95 EUR |
| 132+ | 0.64 EUR |
| 152+ | 0.56 EUR |
| 213+ | 0.4 EUR |
| 242+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 2000+ | 0.26 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 165580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 156+ | 1.12 EUR |
| 343+ | 0.49 EUR |
| 397+ | 0.4 EUR |
| 524+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 2000+ | 0.21 EUR |
| 4000+ | 0.2 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| 4000+ | 0.37 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.62 EUR |
| 50+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| BD237 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STM
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.68 EUR |
| BD237 |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| BD238 Produktcode: 174169
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 3 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
auf Bestellung 65 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet 05.07.2026| 1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 V
auf Bestellung 58984 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BD139 Produktcode: 191983
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Montage: THT
auf Bestellung 589 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BZV55-C9V1 Produktcode: 1362
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 9,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 5.5mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 9,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 5.5mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
auf Bestellung 9228 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.033 EUR |
| 1000+ | 0.032 EUR |
| 10 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-10K-Hitano) Produktcode: 13787
6
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 10 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
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