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BD238

BD238 NXP

datasheet_bd238.pdf
Produktcode: 174169
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
I, А: 2 А
auf Bestellung 95 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD238 BD238
Produktcode: 51316
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Hersteller : ST BD238.pdf BD237-D.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
U, V: 100
I, А: 2
Bem.: 25W
verfügbar: 10 St.
Anzahl Preis
1+0.18 EUR
10+0.16 EUR
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BD238 BD238
Produktcode: 172863
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Hersteller : Philips datasheet-bd238.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 2 A
h21,max: 40
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BD238 BD238 Hersteller : LGE TBD238_0239.pdf PNP 2A 80V 25W 3MHz BD238 TBD238
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238 BD238 Hersteller : STM BD235-236-237-238.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238 BD238 Hersteller : MULTICOMP PRO BD238.pdf BD237-D.PDF Description: MULTICOMP PRO - BD238 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238 Hersteller : LGE BD238.pdf BD237-D.PDF PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BD238`
auf Bestellung 5773 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238 Hersteller : JSCJ BD238.pdf BD237-D.PDF PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD238 Hersteller : On Semiconductor BD234-BD237-BD238.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD237) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD238 BD238 Hersteller : STMicroelectronics BD238.pdf Description: TRANS PNP 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD238 Hersteller : onsemi BD237-D.PDF Description: TRANS PNP 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
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BD238 BD238 Hersteller : onsemi BD238.pdf BD237-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W PNP
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BD238 BD238 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00236978.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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BD237 (LGE)
Produktcode: 126623
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DOC055411089.pdf
BD237 (LGE)
Hersteller: LGE
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
ZCODE: THT
auf Bestellung 353 St.:
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BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 823 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1902 St.
104 St. - stock Köln
1798 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 80862 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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L7805CV
Produktcode: 24792
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description L7800 series.pdf
L7805CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 5
Iout,A: 1,5 А
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 2075 St.
118 St. - stock Köln
1957 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.52 EUR
10+0.45 EUR
100+0.4 EUR
1000+0.13 EUR
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