BD239C


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Produktcode: 161416
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
722+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 722 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
522+0.33 EUR
527+0.32 EUR
545+0.3 EUR
594+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STM bd239c.pdf NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C ARK info-tbd239c%20c.pdf NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C ST info-tbd239c.pdf NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STMicroelectronics CD00000937.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 115V
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
186+0.45 EUR
197+0.43 EUR
204+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C ON Semiconductor bd239cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
auf Bestellung 6765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STMicroelectronics en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
auf Bestellung 8341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.24 EUR
100+0.77 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.32 EUR
110+1.52 EUR
124+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C onsemi BD239C-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
200+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C onsemi en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.29 EUR
500+1.24 EUR
1200+1.11 EUR
2400+1 EUR
6000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C STMicroelectronics en.CD00000937.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BD239C BD239C ONSEMI BD239C-D.pdf Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C 1279cd00000937.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
722+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 722 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C 1279cd00000937.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
522+0.33 EUR
527+0.32 EUR
545+0.3 EUR
594+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C 1279cd00000937.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
409+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C bd239c.pdf
Hersteller: STM
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C info-tbd239c%20c.pdf
Hersteller: ARK
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C info-tbd239c.pdf
Hersteller: ST
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C CD00000937.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 115V
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.94 EUR
186+0.45 EUR
197+0.43 EUR
204+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C bd239cd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
auf Bestellung 6765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
559+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
auf Bestellung 8341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.75 EUR
10+1.24 EUR
100+0.77 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C 1279cd00000937.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.32 EUR
110+1.52 EUR
124+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C BD239C-D.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
200+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.29 EUR
500+1.24 EUR
1200+1.11 EUR
2400+1 EUR
6000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD239C en.CD00000937.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.36 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH