BD239C STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BD239C STMicroelectronics
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote BD239C nach Preis ab 0.18 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 115V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 115V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
auf Bestellung 6765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239C Produktcode: 161416
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 2296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 30 W |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD239C | Hersteller : ARK |
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD239C | Hersteller : ST |
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD239C | Hersteller : STMicroelectronics NV |
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD239C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD239C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD239C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| BD239C | Hersteller : ONSEMI |
BD239C-ONS NPN THT transistors |
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