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BD239CTU

BD239CTU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details BD239CTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 30 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BD239CTU BD239CTU onsemi BD239C-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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Power - Max: 30 W
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BD239CTU BD239CTU onsemi BD239C-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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BD239CTU ONSEMI product.do?id=BD239CTU Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
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Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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