BD240A
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Technische Details BD240A
Description: TRANS PNP 60V 2A TO-220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 30 W.
Weitere Produktangebote BD240A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BD240A | RE |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 30W Through Hole TO-220-3 Транзистори |
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 |
BD240A | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
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 |
BD240A | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon |
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| BD240A | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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|
BD240A | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
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| BD240A |
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Hersteller: RE
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 30W Through Hole TO-220-3 Транзистори
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 30W Through Hole TO-220-3 Транзистори
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| BD240A |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS PNP 60V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
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| BD240A |
|
Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT 30W PNP Silicon
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| BD240A |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
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| BD240A |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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