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BD240B

BD240B ON Semiconductor

3664843927419980bd240a.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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Technische Details BD240B ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 2A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD240B Hersteller : ARK BD240%2CA%2CB%2CC.pdf PNP 2A 80V 30W 3MHz BD240B TBD240b
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BD240B Hersteller : ONSEMI FAIRS19034-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD240B - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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BD240B
Produktcode: 162498 		BD240%2CA%2CB%2CC.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BD240B BD240B Hersteller : ON Semiconductor 3664843927419980bd240a.pdf Trans GP BJT PNP 80V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BD240B BD240B Hersteller : onsemi BD240%2CA%2CB%2CC.pdf Description: TRANS PNP 80V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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