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BD241C

BD241C STMicroelectronics

6666cd00000938.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details BD241C STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - BD241C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics 6666cd00000938.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics 6666cd00000938.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB105091EA0469&compId=BD241C.pdf?ci_sign=288913cca47febe56380703fcda691ae7e12dcce Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
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91+0.79 EUR
152+0.47 EUR
167+0.43 EUR
179+0.4 EUR
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB105091EA0469&compId=BD241C.pdf?ci_sign=288913cca47febe56380703fcda691ae7e12dcce Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics 6666cd00000938.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics BD241-42A%2CB%2CC.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
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Anzahl Preis
12+1.5 EUR
50+0.69 EUR
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BD241C BD241C Hersteller : STMicroelectronics 6666cd00000938.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD241C BD241C Hersteller : STMICROELECTRONICS BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD241C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BD241C Hersteller : ARK BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C; BD241C TBD241c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD241C Hersteller : ARK BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C; BD241C TBD241c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD241C Hersteller : ARK BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C; BD241C TBD241c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD241C Hersteller : ST BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf NPN 3A 100V 40W 3MHz Replacement: TIP31C BD241C TBD241c ST
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD241C Hersteller : ST BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf NPN 3A 100V 40W 3MHz Replacement: TIP31C BD241C TBD241c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD241C Hersteller : ON Semiconductor BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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197+0.71 EUR
500+0.56 EUR
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BD241C BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf BD241C Транзисторы
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BD241C BD241C
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Hersteller : ON BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 1 A
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BD241C Hersteller : STMicroelectronics NV BD241-42A%2CB%2CC.pdf bd241c-d.pdf TO-220
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BD241C BD241C Hersteller : onsemi bd241c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
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BD241C BD241C Hersteller : Bourns bourns_bd241.pdf Bipolar Transistors - BJT 40W NPN Silicon
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BD241C BD241C Hersteller : onsemi BD241C-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W NPN
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