BD241CG ON Semiconductor
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 275+ | 0.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BD241CG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BD241CG nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD241CG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD241CG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 19799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD241CG | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W NPN |
auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD241CG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| BD241CG | Hersteller : ON |
05+06+ |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
|
|
BD241CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
 |
BD241CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| BD241CG | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: tube Case: TO220AB Current gain: 2.5 Collector current: 3A Power dissipation: 40W Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 3MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |