BD244B
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Technische Details BD244B
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 65 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole.
Weitere Produktangebote BD244B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BD244B | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220 Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 65 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 700µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole |
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BD244B | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon |
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BD244B | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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BD244B | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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BD244B | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
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| BD244B |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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| BD244B |
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Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
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| BD244B |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| BD244B |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| BD244B |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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