Technische Details BD244B ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 65 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BD244B | onsemi |
 Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BD244B | Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BD244B | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BD244B | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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BD244B | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
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| BD244B |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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| BD244B |
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Hersteller: Bourns
Bipolar Transistors - BJT 65W PNP Silicon
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| BD244B |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| BD244B |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| BD244B |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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