BD244BG ON Semiconductor
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Technische Details BD244BG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 65 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BD244BG | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD244BG - TRANS, PNP, 80V, 6A, 150DEG C, 65WtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BD244BG Produktcode: 179687
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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BD244BG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 6A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BD244BG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 6A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W |
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BD244BG | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 80V 65W PNP |
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