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BD436S

BD436S onsemi / Fairchild

BD438_D-2310160.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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Technische Details BD436S onsemi / Fairchild

Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3, Power - Max: 36 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: TO-126-3, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD436S BD436S onsemi BD438-D.PDF Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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BD436S BD436S ONSEMI BD438-D.pdf Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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BD436S ON Semiconductor BD438-D.PDF Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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BD436S
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 32V 4A TO-126-3
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
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BD436S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD436S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 4 A, 36 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 36
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 32
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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