BD439G ON Semiconductor
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 140+ | 1.03 EUR |
| 164+ | 0.85 EUR |
| 199+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BD439G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BD439G nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD439G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN |
auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BD439G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 36 W |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BD439G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BD439G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
BD439G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
BD439G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO225 Mounting: THT Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Type of transistor: NPN Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 40...475 Collector current: 4A Case: TO225 Power dissipation: 36W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
BD439G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 36W; TO225 Mounting: THT Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Type of transistor: NPN Frequency: 3MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 40...475 Collector current: 4A Case: TO225 Power dissipation: 36W |
Produkt ist nicht verfügbar |