Technische Details BD439G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BD439G nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BD439G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD439G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD439G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 Power - Max: 36 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD439G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD439G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 181+ | 0.98 EUR |
| 200+ | 0.84 EUR |
| 224+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| BD439G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.83 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| BD439G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.83 EUR |
| 12+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| BD439G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD439G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 36 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 3.32 EUR |
| 115+ | 2.02 EUR |
| 167+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |