BD439G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details BD439G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126, Power - Max: 36 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote BD439G nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD439G BD439G ON Semiconductor bd437-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD439G BD439G onsemi BD437-D.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN
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BD439G BD439G onsemi BD437-D.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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Power - Max: 36 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
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Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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