BD439S ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin TO-126 Bag
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Technische Details BD439S ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 36 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD439S BD439S ON Semiconductor / Fairchild BD439-1121957.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN TRANS TO-126
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN TRANS TO-126
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