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BD442G

BD442G ON Semiconductor

bd438-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details BD442G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 36 W.

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BD442G BD442G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989BF2B85D3D138BF&compId=BD436-8%2CBD440-2.pdf?ci_sign=08943676f14e8cad8d43e29458a5c41ba68eb3ce Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Current gain: 40...475
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Kind of package: bulk
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BD442G BD442G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989BF2B85D3D138BF&compId=BD436-8%2CBD440-2.pdf?ci_sign=08943676f14e8cad8d43e29458a5c41ba68eb3ce Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Current gain: 40...475
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Kind of package: bulk
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BD442G BD442G Hersteller : ON Semiconductor bd438-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD442G BD442G Hersteller : onsemi BD438_D-1803070.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP
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BD442G BD442G Hersteller : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
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BD442G BD442G Hersteller : ON Semiconductor bd438-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD442G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD442G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 424 Stücke:
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Produktcode: 171246
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