BD675AS ON Semiconductor
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Technische Details BD675AS ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 45V 4A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 40 W.
Weitere Produktangebote BD675AS
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BD675A-S |
auf Bestellung 11370 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BD675AS | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD675AS - BD675AS, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD675AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD675AS | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 45V 4A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 40 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD675AS | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil |
Produkt ist nicht verfügbar |