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BD676G

BD676G onsemi

bd676-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 45V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 40 W
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Technische Details BD676G onsemi

Description: TRANS PNP DARL 45V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 40 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD676G BD676G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 45V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD676G BD676G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD676G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Wandlerpolarität: PNP
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
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BD676G BD676G Hersteller : ON Semiconductor bd676-d.pdf Trans Darlington PNP 45V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD676G BD676G Hersteller : onsemi bd676-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 45V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 40 W
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BD676G BD676G Hersteller : onsemi BD676_D-2310129.pdf Darlington Transistors 4A 45V 40W PNP
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