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Technische Details BD679AS onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BD679AS | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
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BD679AS | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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BD679AS | Hersteller : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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