BD681G ON Semiconductor
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Technische Details BD681G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W.
Weitere Produktangebote BD681G nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BD681G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD681G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD681G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1699 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD681G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk |
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BD681G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 4A 100V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 5539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BD681G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
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BD681G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD681G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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BD681G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD681G - Transistor, NPN, 100V, 4A, 150°C, 40W, TO-225 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |