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BD681G

BD681G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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Technische Details BD681G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD681G BD681G ON Semiconductor bd675-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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BD681G BD681G ONSEMI BD681G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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BD681G BD681G onsemi BD675-D.PDF Darlington Transistors 4A 100V Bipolar Power NPN
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BD681G BD681G onsemi BD675-D.PDF Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
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BD681G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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BD681G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 4A 100V Bipolar Power NPN
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Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
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11+1.94 EUR
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