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BD682S

BD682S onsemi

FAIRS20120-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 14 W
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Technische Details BD682S onsemi

Description: TRANS PNP DARL 100V 4A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 14 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD682S BD682S ON Semiconductor bd682-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 4A 14000mW 3-Pin TO-126 Bag
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BD682S BD682S onsemi bd676-d.pdf FAIRS20120-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Darlington Transistors PNP Epitaxial Sil
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2+2.23 EUR
10+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BD682-S
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