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BD788G

BD788G ON

bd787-d.pdf
Produktcode: 104225
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-225
fT: 50 MHz
U, V: 60 V
U, V: 80 V
I, А: 4 А
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Technische Details BD788G ON

  • Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V
  • Transition Frequency Typ, ft:50MHz
  • Power Dissipation, Pd:15W
  • DC Collector Current:-4A
  • DC Current Gain Max (hfe):40

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD788G BD788G Hersteller : onsemi bd787-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 5868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
777+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 777
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BD788G bd787-d.pdf BD788G Транзисторы Bipolar
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BD788G Hersteller : On Semiconductor BD787-D.pdf PNP, Uкэ=60V, Iк=4A (8 имп.), h21=20...250, 15Вт, 50МГц, TO-225AA (комплементарный BD787) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD788G BD788G Hersteller : onsemi bd787-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
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BD788G BD788G Hersteller : onsemi BD787-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 60V
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