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BD810

BD810 onsemi

bd809-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
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Technische Details BD810 onsemi

Description: TRANS PNP 80V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD810 ON Semiconductor bd809-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD810 ONSEMI ONSM-S-A0005942458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD810 - TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD810 - TRANSISTOR
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