BD911 (Bipolartransistor NPN) (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD911 (Bipolartransistor NPN)

BD911 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 23637
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 250

BD909,910,911,912.pdf
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Technische Details BD911 (Bipolartransistor NPN)

  • TRANSISTOR, NPN, TO-220
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:90W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Application Code:GP
  • Current Ic @ Vce Sat:5A
  • Current Ic hFE:0.5A
  • Device Marking:BD911
  • Max Current Gain Hfe:250
  • Max Current Ic:15A
  • Max Power Dissipation Ptot:90W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Typ Hfe:40
  • Voltage Vcbo:100V

Preis BD911 (Bipolartransistor NPN) ab 0.47 EUR bis 3.48 EUR

BD911
Hersteller: ST
NPN TRANSISTOR 100V 15A 90W TO2
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Hersteller: CDIL
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 TO220 CDIL TBD911
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BD911
Hersteller: CDIL
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 TO220 CDIL TBD911
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BD911
Hersteller: import
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 TO220 TBD911 c
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Hersteller: ST

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Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD911 NPN THT transistors
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BD911
Hersteller: DIV

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BD911
Hersteller: ST
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BD911
Hersteller: ST
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 sgs TO220 TBD911sgs
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Hersteller: ST
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 sgs TO220 TBD911sgs
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Hersteller: ST
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 sgs TO220 TBD911sgs
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BD911
Hersteller: ST
NPN 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD911 sgs TO220 TBD911sgs
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BD911
BD911
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI AUDIO POWER AMP TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 3MHz
Power - Max: 90W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bag
Manufacturer: NTE Electronics, Inc
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BD911
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 15A TO-220
Supplier Device Package: TO-220
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 3MHz
Power - Max: 90W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: STMicroelectronics
Base Part Number: BD911
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BD911
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
cd00001277-1795570.pdf
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BD911
BD911
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD911 - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 90
DC Current Gain hFE: 50
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 15
Transistor Case Style: TO-220AB
Transition Frequency ft: 3
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
2307053.pdf
3298 Stücke
BD911
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
cd0000127.pdf
1014 Stücke
BD911
Hersteller:
BD911 NPN / 100V / 15A / 90W
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BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
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h21: 75
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Temperaturbereich: 0...+70°C
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Produktcode: 31264