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BD911

BD911 CDIL

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Hersteller: CDIL
BD911 NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911
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Technische Details BD911 CDIL

Description: STMICROELECTRONICS - BD911 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BD911 BD911 STMicroelectronics cd0000127.pdf description Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911 BD911 CDIL info-tbd911.pdf description BD911 NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911
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BD911 BD911 STMicroelectronics cd0000127.pdf description Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911 BD911 STMicroelectronics cd0000127.pdf description Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911 BD911 STMicroelectronics cd0000127.pdf description Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911 BD911 CDIL info-tbd911.pdf description BD911 NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911
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BD911 BD911 JSMicro Semiconductor info-tbd911.pdf description BD911 JSMICRO Transistor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; TBD911 JSM
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BD911 BD911 ST info-tbd911sgs.pdf description BD911 sgs NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911sgs
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BD911 BD911 ST info-tbd911sgs.pdf description BD911 sgs NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911sgs
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BD911 BD911 STMicroelectronics BD911.PDF?rlkey=xzsvkoejp10ngm916r0j4tfoh&st=yo0hhu33&dl=0 description Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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BD911 BD911 STMICROELECTRONICS 2307053.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BD911 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BD911 BD911 STMicroelectronics BD911.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
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BD911 description cd0000127.pdf
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 87415 Stücke:
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BD911
Hersteller: CDIL
BD911 NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911
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BD911 description cd0000127.pdf
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BD911 description cd0000127.pdf
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911 description cd0000127.pdf
BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 87415 Stücke:
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BD911
Hersteller: CDIL
BD911 NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911
auf Bestellung 1000 Stücke:
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BD911
Hersteller: JSMicro Semiconductor
BD911 JSMICRO Transistor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; TBD911 JSM
auf Bestellung 150 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BD911 description info-tbd911sgs.pdf
BD911
Hersteller: ST
BD911 sgs NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911sgs
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Hersteller: ST
BD911 sgs NPN 15A 100V 90W 3MHz TBD911sgs
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BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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1+3.42 EUR
10+2.09 EUR
100+1.71 EUR
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4000+0.83 EUR
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BD911
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD911 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
61+4.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BD911
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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