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BD911

BD911

info-tbd911.pdf
Produktcode: 183683
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 246 Stück:
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Technische Details BD911

  • TRANSISTOR, NPN, TO-220
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:90W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Application Code:GP
  • Current Ic @ Vce Sat:5A
  • Current Ic hFE:0.5A
  • Device Marking:BD911
  • Max Current Gain Hfe:250
  • Max Current Ic:15A
  • Max Power Dissipation Ptot:90W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Typ Hfe:40
  • Voltage Vcbo:100V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD911 (Bipolartransistor NPN) BD911 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 23637
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Hersteller : ST BD909,910,911,912.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 250
ZCODE: THT
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BD911 BD911 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Anzahl Preis
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
5000+0.50 EUR
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BD911 BD911 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBB98810C958469&compId=BD911.pdf?ci_sign=25152fa40b66b0e6aabf324b98ebfce0600ffdde Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
103+0.70 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
250+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
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BD911 BD911 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001277.pdf Description: TRANS NPN 100V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 3189 Stücke:
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8+2.38 EUR
50+1.13 EUR
100+1.00 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.66 EUR
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BD911 BD911 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001277.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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10+1.22 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
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5000+0.64 EUR
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BD911 BD911 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307053.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD911 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BD911 BD911 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT NPN 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD911 Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00001277.pdf Transistor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; BD911 JSMICRO TBD911 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BD911 Hersteller : CDIL en.CD00001277.pdf NPN 15A 100V 90W 3MHz BD911 TBD911
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
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30+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BD911 Hersteller : ST en.CD00001277.pdf NPN 15A 100V 90W 3MHz BD911 sgs TBD911sgs
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BD911 Hersteller : ST en.CD00001277.pdf NPN 15A 100V 90W 3MHz BD911 sgs TBD911sgs
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
50+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BD911 Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00001277.pdf NPN 100V 15A
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BD911 Hersteller : onsemi en.CD00001277.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD912
Produktcode: 2464
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description BD909,910,911,912.pdf
BD912
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
auf Bestellung 971 Stück:
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10+0.38 EUR
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NIPPEL TO-220 Isolierhülse für TO220, 6,1 mm, max. 130 °C
Produktcode: 26109
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nippel.pdf
NIPPEL TO-220 Isolierhülse für TO220, 6,1 mm, max. 130 °C
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Isolierhulse fur TO-220
Größe: fuer Gehause TO-220
Матеріал: Пластик
білий
verfügbar: 22755 Stück
454 Stück - stock Köln
22301 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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BDW93C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 12
h21: 20000
Bem.: Darlington
ZCODE: THT
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BDW94C
Produktcode: 1600
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BDW93C,94B,94C.pdf
BDW94C
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 12
h21,max: 20000
Bem.: DARLINGT
auf Bestellung 197 Stück:
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10+0.42 EUR
100+0.36 EUR
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Produktcode: 15292
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BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 777 Stück
104 Stück - stock Köln
673 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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