BD912 (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

BD912
Produktcode: 2464
Hersteller: STGehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250

verfügbar: 151 Stücke
erwartet: 0 Stücke
Technische Details BD912
- TRANSISTOR, PNP, TO-220
- Transistor Type:Bipolar
- Transistor Polarity:PNP
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
- Max Current Ic Continuous a:15A
- Max Voltage Vce Sat:1V
- Power Dissipation:90W
- Min Hfe:40
- Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Application Code:GP
- Current Ic @ Vce Sat:5A
- Current Ic hFE:0.5A
- Device Marking:BD912
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Gain Hfe:250
- Max Current Ic:15A
- Max Power Dissipation Ptot:90W
- Min Gain Bandwidth ft:3MHz
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Voltage Vcbo:100V
Preis BD912 ab 0.38 EUR bis 4.06 EUR
Produktcode: 123127 Hersteller: Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP ![]() |
100 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: STMicroelectronics Material: BD912 PNP THT transistors ![]() ![]() |
auf Bestellung 1366 Stücke ![]() Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: ST PNP 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD912 sgs TO220 TBD912sgs Anzahl je Verpackung: 50 Stücke ![]() ![]() |
auf Bestellung 150 Stücke ![]() Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: ST PNP 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD912 sgs TO220 TBD912sgs Anzahl je Verpackung: 50 Stücke ![]() ![]() |
auf Bestellung 600 Stücke ![]() Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: ST PNP 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD912 sgs TO220 TBD912sgs Anzahl je Verpackung: 50 Stücke ![]() ![]() |
auf Bestellung 38 Stücke ![]() Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: STMicroelectronics Description: TRANS PNP 100V 15A TO-220 Package / Case: TO-220-3 Power - Max: 90 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Packaging: Tube ![]() |
auf Bestellung 201 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS - BD912 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 MSL: - Verlustleistung Pd: 90 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) ![]() |
2522 Stücke |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ![]() |
5793 Stücke |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: STMicroelectronics Material: BD912 PNP THT transistors ![]() ![]() |
1366 Stücke |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: BD912 PNP 100V 15A 90W TO-220 ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
BD912 Hersteller: BD912 PNP 100V 15A 90W TO-220 ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
BD912 Hersteller: BD912 PNP 100V 15A 90W TO-220 ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
BD912 Hersteller: BD912 PNP 100V 15A 90W TO-220 ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
BD912 Hersteller: STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose ![]() |
auf Bestellung 4948 Stücke ![]() Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||||||
BD912 Hersteller: STMicroelectronics Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||||
BD912 Hersteller: NTE Electronics, Inc Description: T-PNP SI AUDIO POWER AMP TO-220 Power - Max: 90 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 ![]() |
auf Bestellung 503 Stücke ![]() Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
Mit diesem Produkt kaufen
BD911 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 23637 |
![]() |

Hersteller: ST
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 250
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 250
BDW93C (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 872 |
![]() |

Hersteller: ST
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 12
h21: 20000
Bem.: Darlington
30 Stück - stock KölnTransistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 12
h21: 20000
Bem.: Darlington
486 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
|
BD140 Produktcode: 15292 |
![]() |

Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
120 Stück - stock KölnTransistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
1028 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 44288 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
|
IRFZ44NPBF Produktcode: 35403 |
![]() ![]() |

Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
30 Stück - stock KölnTransistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
391 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 17540 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
|