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BD912

BD912 ST

BD909,910,911,912.pdf
Produktcode: 2464
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
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Technische Details BD912 ST

  • TRANSISTOR, PNP, TO-220
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:90W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Application Code:GP
  • Current Ic @ Vce Sat:5A
  • Current Ic hFE:0.5A
  • Device Marking:BD912
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Gain Hfe:250
  • Max Current Ic:15A
  • Max Power Dissipation Ptot:90W
  • Min Gain Bandwidth ft:3MHz
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Voltage Vcbo:100V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD912 BD912 Hersteller : ARK info-tbd912%20c.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 ARK TBD912 c
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+0.53 EUR
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BD912 BD912 Hersteller : JSMicro Semiconductor TBD912_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; BD912 JSMICRO TBD912 JSM
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BD912 BD912 Hersteller : CDIL info-tbd912.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 TBD912
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BD912 BD912 Hersteller : CDIL info-tbd912.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 TBD912
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics cd0000127.pdf Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD912 BD912 Hersteller : ST info-tbd911sgs.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 sgs TBD912sgs
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BD912 BD912 Hersteller : ST info-tbd911sgs.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 sgs TBD912sgs
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BD912 BD912 Hersteller : STM BD909-10-11-12.pdf TRANS PNP 100V 15A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD912 BD912 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307053.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD912 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
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BD912 BD912
Produktcode: 123127
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Hersteller : CYD tbd912-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 15 A
h21,max: 250
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BD912 BD912
Produktcode: 190956
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Hersteller : CDIL en.CD00001277.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100 V
U, V: 100 V
I, А: 15 A
h21,max: 250
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BD912 BD912 Hersteller : ST info-tbd911sgs.pdf PNP 15A 100V 90W 3MHz BD912 sgs TBD912sgs
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001277.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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1000+0.93 EUR
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001277.pdf Description: TRANS PNP 100V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 90 W
auf Bestellung 2025 Stücke:
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6+3.43 EUR
50+1.66 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BD912 Hersteller : ---- en.CD00001277.pdf TRANS PNP 100V 15A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD912 Hersteller : onsemi / Fairchild en.CD00001277.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD912 BD912 Hersteller : STMicroelectronics BD911.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 3MHz
Polarisation: bipolar
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BD912 BD912 Hersteller : NTE Electronics BD911_12.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO220
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO220
Current gain: 5...250
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
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BD912 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001277.pdf ... Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD911
Produktcode: 183683
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description info-tbd911.pdf
BD911
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 282 St.:
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
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PMBT5551.pdf
PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP/Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 594 St.
120 St. - stock Köln
474 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.048 EUR
100+0.03 EUR
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PMBTA56
Produktcode: 20881
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description MMBTA56.pdf
PMBTA56
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 50 MHz
U, V: 80
U, V: 80
I, А: 0.5
h21,max: 100
verfügbar: 489 St.
120 St. - stock Köln
369 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
100+0.027 EUR
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BCP69
Produktcode: 1263
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BCP69.pdf
BCP69
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
fT: 40 MHz
U, V: 20
U, V: 25
I, А: 1
h21,max: 375
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 2610 St.
60 St. - stock Köln
2550 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.1 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM2904D
Produktcode: 1596
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LM158,A,258,A,358,A,Y,2904,Q.pdf
LM2904D
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: ±16 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: -40…+125°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
verfügbar: 809 St.
30 St. - stock Köln
779 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.17 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH