BD912

BD912

Produktcode: 2464
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250

BD909,910,911,912.pdf
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Technische Details BD912

  • TRANSISTOR, PNP, TO-220
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
  • Max Current Ic Continuous a:15A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:90W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:3MHz
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Application Code:GP
  • Current Ic @ Vce Sat:5A
  • Current Ic hFE:0.5A
  • Device Marking:BD912
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Gain Hfe:250
  • Max Current Ic:15A
  • Max Power Dissipation Ptot:90W
  • Min Gain Bandwidth ft:3MHz
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Voltage Vcbo:100V

Preis BD912 ab 0.38 EUR bis 4.06 EUR


Produktcode: 123127
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

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BD912
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD912 PNP THT transistors
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BD912
Hersteller: ST
PNP 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD912 sgs TO220 TBD912sgs
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Hersteller: ST
PNP 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD912 sgs TO220 TBD912sgs
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BD912
Hersteller: ST
PNP 15A 100V 90W 3MHz Trans. BD912 sgs TO220 TBD912sgs
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD912
BD912
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 100V 15A TO-220
Package / Case: TO-220-3
Power - Max: 90 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
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BD912
BD912
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD912 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: -
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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BD912
BD912
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD912 PNP THT transistors
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BD912
Hersteller:
BD912 PNP 100V 15A 90W TO-220
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BD912
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 100V 15A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD912
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI AUDIO POWER AMP TO-220
Power - Max: 90 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
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fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
120 Stück - stock Köln
1028 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 44288 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.12 EUR
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
30 Stück - stock Köln
391 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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