BDP947H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BDP947H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BDP947H6327XTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BDP947H6327XTSA1 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.46 EUR
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BDP947H6327XTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BDP947H6327XTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 3A 45V 5W 100MHz BDP947 TBDP947 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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| BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 3A 45V 5W 100MHz BDP947 TBDP947 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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BDP947H6327XTSA1 Produktcode: 197946
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BDP947H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 45V 3A PG-SOT223-4-24 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-24 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 5 W |
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