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BDP949H6327XTSA1

BDP949H6327XTSA1 Infineon Technologies

bdp947_bdp949.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BDP949H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 60V 3A PG-SOT223-4-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 5 W.

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BDP949H6327XTSA1 BDP949H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BDP947_BDP949_BDP953_DS_v01_01_en-1731043.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
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