BDP950H6327XTSA1
Produktcode: 165639
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BDP950H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BDP950H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BDP950H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 5000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BDP950H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 3A PG-SOT223-4-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BDP950H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
Produkt ist nicht verfügbar |