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BDP953H6327XTSA1

BDP953H6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
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Technische Details BDP953H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 100V 3A PG-SOT223-4-10, Power - Max: 5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BDP953H6327XTSA1 BDP953H6327XTSA1 Infineon TBDP953_0001.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT; BDP953H6327XTSA1 TBDP953
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BDP953H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT; BDP953H6327XTSA1 TBDP953
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