BDV65 Central Semiconductor Corp


LSSGP091.PDF Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 60V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BDV65 Central Semiconductor Corp

Description: TRANS NPN 60V 12A TO218, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-218-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-218, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 125 W.

Weitere Produktangebote BDV65

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BDV65 Hersteller : Bourns bdv65-1159206.pdf Darlington Transistors 125W 12A NPN
Produkt ist nicht verfügbar
BDV65 Hersteller : Central Semiconductor LSSGP091.PDF Central Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar